海通国际电子：IGBT专家20220726
比亚迪IGBT采购情况比亚迪集团保守估计整车销量150万-180万。比亚迪半导体自供100-110万台车，剩余外购。第一供应商斯达，第二供应商中车(由于交付能力的原因，量不是特别大)，士兰微有导入(十月份开始量产)，英飞凌有外购一小部分，富士也有一点但不太多。后续自供和外采的比例不好说。明年规划300-350万台车，目前正在做调研，大概率内部供应60%，外部40%。
比亚迪产能芯片产能:1)宁波晶圆厂-全年30万片(6吋);2)山东济南-一期3万片/月，二期三万片/月，目前1.3-1.5万片/月，4Q爬坡至3万片/月;3)长沙-今年10月份投产，设计产能3万片，年底约1万片/月(8吋);4)积塔半导体-1.4-1.5万片/月(8吋);5)中芯国际-5千片/月(8吋);6)三美公司-3千片/月(6吋)。封装产能:深圳封装厂一个月20万片左右的产能，后续在浙江会建设一个封装厂。也有产品在外部代工。
比亚迪碳化硅的规划以及产能单管-主要用在车载OBC以及DC/DC;规格1200V为主，少数650V。比亚迪已经量产很多年，从台湾汉磊代工，自供占65-70%。外购的包括深圳埃斯科等。模块-比亚迪自己独供。芯片70%博世，20%ST，少数Cree。自己的芯片已经开始在做验证了，准备装车，计划明年1Q-2Q投产(原定4Q，主要是由于宁波晶圆厂产能不足)。碳化硅渗透率-预计今年15-20%，明年20-25%用碳化硅。
Q&A:
Q:为什么不用Cree的碳化硅
A:不是因为性能的原因。很早之前用过Cree的单管，但是在主电驱供货能力以及成本的竞争力并不大。第一款SiC车型是比亚迪汉高性能4驱版，后驱采用SiC。ST的成本好，但是质控不够稳定。后续找到了博世，供货和质量都比较稳定。
Q:国内外碳化硅器件和wafer价格走势
A:目前碳化硅衬底、外延、封装，整体的市场份额还是Cree,罗姆,ST,博世市占率领先国外大厂70-75%良率,国内良率55-60%,成本端国外更有优势。SiC相对IGBT成本3.5倍-4倍左右。
Q:士兰微IGBT合作进展
A:目前士兰微主要量产的是HP1封装模块，HPD的模块出的比较晚，还没量产，十月份才开始有产能，这是造成进度延后的原因。目前士兰微HPD模块已经通过验证。比亚迪除了斯达、中车(交付交不上)、士兰微交货也不是很顺畅，现在别的一些品牌也在陆续进来。
Q:外采份额
A:几家小的加在一起10-12%。
Q:如何兼容这么多供应商
A:IGBT模块规格不多，750v400A/600A/820A/950A四个电流等级。1200V450A/600A以及比亚迪定制的DMI专用模块，1200V500A/600A。八款模块的封装都一样，也是市场上比较通用的模块。每个厂家基本可能供应一款模块，没有厂家能供全部规格的模块。
Q:外采模块价格是否有调整
A:今年涨价已经涨过了，一般涨价一年1-2次，年底可能会有价格调整。
Q:SiC衬底以及器件会考虑用国内供应商么
A:肯定会用，但是比例不好说。但未来1-2年国外比例会比较高。供应商偏好1)上市公司(风险小)2)有研发能力的公司。
Q:斯达产品性能和国外产品比较
A:封装角度主要有单管TO-247Plus封装，HP1,HPD以及Econo分装，电压角度650v,750v和1200v。从成品的角度性能差距已经不明显了，半代到一代差距，目前650v都采用IFS+沟槽工艺，技术以及参数都比较接近了。未来750v会是最主流的，英飞凌目前还是最好的，但国内中车比亚迪、斯达都能满足应用。汽车考虑到研发的滞后性以及可靠性要求，并不一定要用最新代的芯片。
Q:斯达的产能如何
A:预计斯达能供100万台车。但看起来应该在80-100万之间。比亚迪外购40万里面斯达占40%-45%左右。
Q:单车IGBT的价值量
A:比亚迪宋Plus为例，主电驱-逆变模块1300元，升压模块1200元，总共2600元。其他空调等加在一起200元左右。
Q:SiC代替IGBT
A:28万以上的车型用碳化硅，尤其是四驱模块。未来2-3年可能23-24万的车型用，4-5年20万以上都会用到SiC模块。
Q:碳化硅价值量
A:目前比亚迪汉后驱用一个SiC模块1200V840A，售价9000元。OBC和DC用到1200V12个单管，共360元。另外就是充电桩上用。
Q:埃斯特
A:总经理之前是比亚迪半导体负责碳化硅的产品经理。负责研发的是比亚迪出来的，所以导入比较快，已经有在量产。
Q:碳化硅供应是否能供保障
A:2024年前IGBT都会保持紧张(光伏和汽车都不会好转)，碳化硅好一些(因为量产的基本只有比亚迪和特斯拉，在光伏也没有大规模应用)。IGBT方面英飞凌等大厂目前的交付能力都不足，新能源车供应优先级比较高。国内厂商明年上半年的订单已经没法排单了，已经要挤下半年的订单了。而2024年会是一个转折点，主要是目前晶圆产能还没有释放。
Q:有国内IGBT厂商和欧洲Tier1直接合作，和英飞凌竞争么
A:斯达和比亚迪都有在做，走到国外会比较快。国外的Tier1验证周期比较长，但比亚迪2023和2024国外市场就会逐渐起来。斯达通过联合电子等一些厂家陆续进入国外的供应链。英飞凌和安森美在国外的供应也是不足的，所以一定会有国内的厂商去填补空白。
Q:比亚迪外售
A:核心是产能，产能起来一定会外售，目前自身的需求太大。
Q:未来产能松下来，国内厂商，比如中车否能通过成本优势去竞争
A:有可能。在国内英飞凌750V模块价格比较高，中车的模块在行业内也是做的不错的，但的确性能上是不如英飞凌的。目前英飞凌给欧洲的企业供货的价格也比较低，后续就看企业下的决心。
Q:碳化硅国内厂商和国外厂商的价格差异
A:终端的售价有20%-25%的差价。
Q:衬底是车厂选还是器件厂商选
A:整车厂对衬底是有要求的，但没有说一定要选国外的。外延制作目前难度比较高，大家比较关注设计和外延。国内量产的衬底不多，国联万众、三安目前还主要是送样的阶段，有单管出来，在OBCDC/DC有一定机会，但也需要时间导入。
Q:斯达SiC验证
A:斯达的芯片用的罗姆的，给小鹏P9以及宇通大巴供应。和蔚来、理想、红旗都在谈，也主要是测试阶段。2023年下半年到2024年会有量产。
Q:碳化硅目前没有大批量采用的原因
A:主要要看母线电压，IGBT选母线电压两倍的。330v母线电压用650vIGBT，400v系统对应750vIGBT模块。等到了800V系统对应用1500-1700v的IGBT模块。目前IFS+沟槽工艺的IGBT芯片1200V电压等级的耐压值在1300V左右，是没办法用在800v系统上的。而且即便是IGBT能做到耐压等级，SiC也有面积小，损耗低的优势。目前SiC还没有大规模装车的原因一个是成本(现在SiC还是IGBT的3.5-4倍)，一个是技术难度(很多电控厂没有研究到位，电驱不好控制;模块厂在封装上也需要继续研究)。碳化硅应用是一个系统性问题。
Q:英飞凌OnSemi在扩12吋IGBT，24年达产，是否到时出现产能过剩(考虑SiC的替代)
A:碳化硅技术还在发展，衬底6吋和8吋主要区别在于边际成本，未来SiC也可能用12吋，8吋的IGBT产线完全可以转SiC。
Q:长期SiC代替IGBT
A:未来5-10年，IGBT和SiC一定是并存。车上，未来10年SiC市占率超过IGBT都会比较困难。
